Tyristorisiru
Tyristorisiru
RUNAU Electronicsin valmistama tyristorisiru esiteltiin alun perin GE:n prosessointistandardilla ja -tekniikalla, joka on yhteensopiva Yhdysvaltain sovellusstandardien kanssa ja jonka maailmanlaajuiset asiakkaat ovat hyväksyneet.Sillä on vahvat lämpöväsymiskestävyysominaisuudet, pitkä käyttöikä, korkea jännite, suuri virta, vahva sopeutumiskyky ympäristöön jne. Vuonna 2010 RUNAU Electronics kehitti uuden tyristorisirun mallin, joka yhdisti GE:n ja eurooppalaisen teknologian perinteisen edun, suorituskyvyn ja tehokkuutta on optimoitu huomattavasti.
Parametri:
| Halkaisija mm | Paksuus mm | Jännite V | Gate Dia. mm | Katodin sisäläp. mm | Katodi ulos halk. mm | Tjm ℃ |
| 25.4 | 1,5±0,1 | ≤2000 | 2.5 | 5.6 | 20.3 | 125 |
| 25.4 | 1,6-1,8 | 2200-3500 | 2.6 | 5.6 | 15.9 | 125 |
| 29.72 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 24.5 | 125 |
| 32 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 26.1 | 125 |
| 35 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.8 | 7.6 | 29.1 | 125 |
| 35 | 2.1-2.4 | 2200-4200 | 3.8 | 7.6 | 24.9 | 125 |
| 38.1 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 32.8 | 125 |
| 40 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 33.9 | 125 |
| 40 | 2.1-2.4 | 2200-4200 | 3.5 | 8.1 | 30.7 | 125 |
| 45 | 2,3±0,1 | ≤2000 | 3.6 | 8.8 | 37.9 | 125 |
| 50.8 | 2,5±0,1 | ≤2000 | 3.6 | 8.8 | 43.3 | 125 |
| 50.8 | 2,6-2,9 | 2200-4200 | 3.8 | 8.6 | 41.5 | 125 |
| 50.8 | 2,6-2,8 | 2600-3500 | 3.3 | 7 | 41.5 | 125 |
| 55 | 2,5±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 8.8 | 47.3 | 125 |
| 55 | 2,5-2,9 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 45.7 | 125 |
| 60 | 2,6-3,0 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 49.8 | 125 |
| 63.5 | 2.7-3.1 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 53.4 | 125 |
| 70 | 3,0-3,4 | ≤4200 | 5.2 | 10.1 | 59.9 | 125 |
| 76 | 3.5-4.1 | ≤4800 | 5.2 | 10.1 | 65.1 | 125 |
| 89 | 4-4.4 | ≤4200 | 5.2 | 10.1 | 77.7 | 125 |
| 99 | 4,5-4,8 | ≤3500 | 5.2 | 10.1 | 87.7 | 125 |
Tekniset ominaisuudet:
RUNAU Electronics tarjoaa tehopuolijohdesiruja vaiheohjatuista tyristoreista ja pikakytkintyristoreista.
1. Alhainen jännitehäviö
2. Alumiinikerroksen paksuus on yli 10 mikronia
3. Kaksikerroksinen suojamesa
Vinkkejä:
1. Paremman suorituskyvyn säilyttämiseksi siru on säilytettävä typessä tai tyhjiössä, jotta estetään molybdeenikappaleiden hapettumisen ja kosteuden aiheuttama jännitteen muutos.
2. Pidä sirun pinta aina puhtaana, käytä käsineitä äläkä koske siruun paljain käsin
3. Toimi huolellisesti käytön aikana.Älä vahingoita sirun hartsireunapintaa ja alumiinikerrosta portin ja katodin napa-alueella
4. Testattaessa tai koteloinnissa on huomioitava, että kiinnittimen yhdensuuntaisuuden, tasaisuuden ja puristusvoiman on vastattava määritettyjä standardeja.Huono yhdensuuntaisuus johtaa epätasaiseen paineeseen ja lastujen vaurioitumiseen voimalla.Jos puristusvoimaa käytetään liikaa, siru vaurioituu helposti.Jos puristusvoima on liian pieni, huono kosketus ja lämmön haihtumista vaikuttavat sovellukseen.
5. Sirun katodipinnan kanssa kosketuksissa oleva painelohko on hehkutettava
Suosittele puristusvoimaa
| Chipsin koko | Puristusvoiman suositus |
| (KN) ±10 % | |
| Φ25.4 | 4 |
| Φ30 tai Φ30.48 | 10 |
| Φ35 | 13 |
| Φ38 tai Φ40 | 15 |
| Φ50.8 | 24 |
| Φ55 | 26 |
| Φ60 | 28 |
| Φ63.5 | 30 |
| Φ70 | 32 |
| Φ76 | 35 |
| Φ85 | 45 |
| Φ99 | 65 |