ZW-SARJAN HITSAUSDIODIN TUOTANTOSTANDARDI

Normatiiviset viittaukset, joita Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor Co käytti hitsausdiodin tuotannossa, olivat seuraavat:

1. GB/T 4023—1997 Puolijohdelaitteiden ja integroitujen piirien erillislaitteet Osa 2: Tasasuuntausdiodit

2. GB/T 4937—1995 Puolijohdelaitteiden mekaaniset ja ilmastolliset testausmenetelmät

3. JB/T 2423—1999 Tehopuolijohdelaitteet – mallinnusmenetelmä

4. JB/T 4277—1996 Power Semiconductor Device Packaging

5. JB/T 7624—1994 Tasasuuntaajadioditestimenetelmä

Malli ja koko

1. Mallin nimi: Hitsausdiodin malli viittaa JB/T 2423-1999 määräyksiin, ja mallin kunkin osan merkitys on esitetty alla olevassa kuvassa 1:

20

2. Graafiset symbolit ja päätteen (ali) tunniste

Graafiset symbolit ja liittimen tunniste on esitetty kuvassa 2, nuoli osoittaa katodiliittimeen.

211

3. Muoto ja asennusmitat

Hitsatun diodin muoto on kupera ja levytyyppinen, ja muodon ja koon tulee täyttää kuvan 3 ja taulukon 1 vaatimukset.

221

Tuote Mitat (mm)
  ZW7100 ZW12000 ZW16000/ZW18000
Katodilaippa (Dmax) 61 76 102
Katodi ja anodi Mesa (D1) 44±0,2 57±0,2 68±0,2
Keraamisen renkaan suurin halkaisija (D2max) 55.5 71.5 90
Kokonaispaksuus (A) 8±1 8±1 13±2
Kiinnitysasentoreikä Reiän halkaisija: φ3,5±0,2mm, reiän syvyys: 1,5±0,3mm

Arvosanat ja ominaisuudet

1. Parametritaso

Käänteisen toistuvan huippujännitteen (VRRM) sarja on määritelty taulukossa 2

Taulukko 2 Jännitetaso

VRRM(V) 200 400
Taso 02 04

2. Raja-arvot

Raja-arvojen on oltava taulukon 3 mukaisia ​​ja niitä on sovellettava koko käyttölämpötila-alueella.

Taulukko 3 Raja-arvo

Raja-arvo

Symboli

Yksikkö

Arvo

ZW7100 ZW12000 ZW16000 ZW18000

Kotelon lämpötila

Tcase

-40-85

Vastaava liitoslämpötila (max)

T(vj)

170

Säilytyslämpötila

Tstg

-40-170

Toistuva huippukäänteinen jännite (max)

VRRM

V

200/400

200/400

200/400

200/400

Käänteinen ei-toistuva huippujännite (max

VRSM

V

300/450

300/450

300/450

300/450

Eteenpäin keskivirta (max)

IF (AV)

A

7100

12000

16 000

18 000

Eteenpäin suuntautuva (ei toistuva) aaltovirta (max)

IFSM

A

55 000

85 000

120 000

135 000

I²t (max)

I²t

kA²s

15100

36100

72 000

91 000

Asennusvoima

F

kN

22-24

30-35

45-50

52-57

3. Ominaisuusarvot

Taulukko 4 Max ominaisarvot

Luonne ja kunto Symboli Yksikkö

Arvo

ZW7100

ZW12000

ZW16000

ZW18000

Myötäsuuntainen huippujänniteIFM=5000A, Tj= 25℃ VFM V

1.1

1.08

1.06

1.05

Käänteinen toistuva huippuvirtaTj=25℃, Tj= 170 ℃ IRRM mA

50

60

60

80

Lämpövastus Liitos koteloon Rjc ℃/ W

0,01

0,006

0,004

0,004

Huomautus: ota yhteyttä erityisvaatimuksiin

ThehitsausdiodiJiangsu Yangjie Runau Semiconductorin valmistamaa käytetään laajalti resistanssihitsauksessa, keski- ja suurtaajuushitsauskoneessa aina 2000 Hz:iin asti.Jiangsu Yangjie Runau Semiconductorin hitsausdiodi on yksi Kiinan sähkön luotettavimmista laitteista erittäin alhaisella eteenpäin suuntautuvalla huippujännitteellä, erittäin alhaisella lämpöresistanssilla, huippuluokan valmistustekniikalla, erinomaisella korvauskyvyllä ja vakaalla suorituskyvyllä maailmanlaajuisille käyttäjille. puolijohdetuotteet.

7b2fe59b4309965f7d2420828043e26 b0a98467d514938a3e9ce9caa04a1a1 ff2ea7a066ade614fecccf57c3c16b4


Postitusaika: 14.6.2023