Normatiiviset viittaukset, joita Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor Co käytti hitsausdiodin tuotannossa, olivat seuraavat:
1. GB/T 4023—1997 Puolijohdelaitteiden ja integroitujen piirien erillislaitteet Osa 2: Tasasuuntausdiodit
2. GB/T 4937—1995 Puolijohdelaitteiden mekaaniset ja ilmastolliset testausmenetelmät
3. JB/T 2423—1999 Tehopuolijohdelaitteet – mallinnusmenetelmä
4. JB/T 4277—1996 Power Semiconductor Device Packaging
5. JB/T 7624—1994 Tasasuuntaajadioditestimenetelmä
Malli ja koko
1. Mallin nimi: Hitsausdiodin malli viittaa JB/T 2423-1999 määräyksiin, ja mallin kunkin osan merkitys on esitetty alla olevassa kuvassa 1:
2. Graafiset symbolit ja päätteen (ali) tunniste
Graafiset symbolit ja liittimen tunniste on esitetty kuvassa 2, nuoli osoittaa katodiliittimeen.
3. Muoto ja asennusmitat
Hitsatun diodin muoto on kupera ja levytyyppinen, ja muodon ja koon tulee täyttää kuvan 3 ja taulukon 1 vaatimukset.
| Tuote | Mitat (mm) | ||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000/ZW18000 | |
| Katodilaippa (Dmax) | 61 | 76 | 102 |
| Katodi ja anodi Mesa (D1) | 44±0,2 | 57±0,2 | 68±0,2 |
| Keraamisen renkaan suurin halkaisija (D2max) | 55.5 | 71.5 | 90 |
| Kokonaispaksuus (A) | 8±1 | 8±1 | 13±2 |
| Kiinnitysasentoreikä | Reiän halkaisija: φ3,5±0,2mm, reiän syvyys: 1,5±0,3mm | ||
Arvosanat ja ominaisuudet
1. Parametritaso
Käänteisen toistuvan huippujännitteen (VRRM) sarja on määritelty taulukossa 2
Taulukko 2 Jännitetaso
| VRRM(V) | 200 | 400 |
| Taso | 02 | 04 |
2. Raja-arvot
Raja-arvojen on oltava taulukon 3 mukaisia ja niitä on sovellettava koko käyttölämpötila-alueella.
Taulukko 3 Raja-arvo
| Raja-arvo | Symboli | Yksikkö | Arvo | |||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
| Kotelon lämpötila | Tcase | ℃ | -40-85 | |||
| Vastaava liitoslämpötila (max) | T(vj) | ℃ | 170 | |||
| Säilytyslämpötila | Tstg | ℃ | -40-170 | |||
| Toistuva huippukäänteinen jännite (max) | VRRM | V | 200/400 | 200/400 | 200/400 | 200/400 |
| Käänteinen ei-toistuva huippujännite (max | VRSM | V | 300/450 | 300/450 | 300/450 | 300/450 |
| Eteenpäin keskivirta (max) | IF (AV) | A | 7100 | 12000 | 16 000 | 18 000 |
| Eteenpäin suuntautuva (ei toistuva) aaltovirta (max) | IFSM | A | 55 000 | 85 000 | 120 000 | 135 000 |
| I²t (max) | I²t | kA²s | 15100 | 36100 | 72 000 | 91 000 |
| Asennusvoima | F | kN | 22-24 | 30-35 | 45-50 | 52-57 |
3. Ominaisuusarvot
Taulukko 4 Max ominaisarvot
| Luonne ja kunto | Symboli | Yksikkö | Arvo | |||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
| Myötäsuuntainen huippujänniteIFM=5000A, Tj= 25℃ | VFM | V | 1.1 | 1.08 | 1.06 | 1.05 |
| Käänteinen toistuva huippuvirtaTj=25℃, Tj= 170 ℃ | IRRM | mA | 50 | 60 | 60 | 80 |
| Lämpövastus Liitos koteloon | Rjc | ℃/ W | 0,01 | 0,006 | 0,004 | 0,004 |
| Huomautus: ota yhteyttä erityisvaatimuksiin | ||||||
ThehitsausdiodiJiangsu Yangjie Runau Semiconductorin valmistamaa käytetään laajalti resistanssihitsauksessa, keski- ja suurtaajuushitsauskoneessa aina 2000 Hz:iin asti.Jiangsu Yangjie Runau Semiconductorin hitsausdiodi on yksi Kiinan sähkön luotettavimmista laitteista erittäin alhaisella eteenpäin suuntautuvalla huippujännitteellä, erittäin alhaisella lämpöresistanssilla, huippuluokan valmistustekniikalla, erinomaisella korvauskyvyllä ja vakaalla suorituskyvyllä maailmanlaajuisille käyttäjille. puolijohdetuotteet.
Postitusaika: 14.6.2023