Vaihesäätötyristori (seostyyppi)

Kuvaus:

Tyristori, joka tunnetaan myös nimellä Silicon Control Rectifier (SCR), on suuritehoinen puolijohdelaite, joka koostuu kolmesta PN-rakenteesta.Suorituskyvyn kannalta tyristorilla ei ole vain yksisuuntaista johtavuutta, vaan sillä on myös arvokkaampi ohjattavuus kuin piitasasuuntaajaelementillä, joka on vain kaksi johtamistilaa ja off-tila, suuren tehon ohjaamiseen pienellä teholla, tehovahvistuksella jopa satoihin tai tuhansia kertoja.Reaktio on erittäin nopea, syttyy ja sammuu mikrosekunnissa.Kosketukseton toiminta, ei kipinöitä, ei melua, mutta korkea hyötysuhde ja alhaiset kustannukset.Siksi erityisesti korkean tehon syöttöjärjestelmässä tyristoria on käytetty laajalti tasasuuntaajapiirissä, staattisessa ohituskytkimessä, kosketusvapaassa lähtökytkimessä ja muissa piireissä.

RUNAU Electronicsin tyristorivalmistusstandardi ja prosessitekniikka tuotiin Yhdysvalloista 1980-luvulta lähtien, tyristorien valmistuksen edelläkävijänä Kiinassa RUNAU:n tekninen tiimi oli hankkinut huippuosaamista ja runsaasti valmistuskokemusta yli 30 vuoden ajalta.Perinteisen valmistusprosessin pohjalta RUNAU Electronicsin lahjakkuusteknikot olivat kehittäneet huipputeknologiaa tyristorien valmistuksessa eurooppalaisten tuotteiden eduilla, laatu ja suorituskyky paranevat huomattavasti, tehoelektroniikan soveltamisessa saavutettu enemmän suuria voittoja. ja kumppaneille luotiin enemmän arvoa.

Esittely:

1. Siru

RUNAU Electronicsin valmistamassa tyristorisirussa on käytetty sintrattua seostustekniikkaa.Pii- ja molybdeenikiekko sintrattiin seostamista varten puhtaalla alumiinilla (99,999 %) korkeassa tyhjiössä ja korkeassa lämpötilassa.Sintrausominaisuuksien hallinta on avaintekijä, joka vaikuttaa tyristorin laatuun.RUNAU Electronicsin osaamista lejeeringin liitossyvyyden, pinnan tasaisuuden, metalliseoksen ontelon sekä täyden diffuusiotaidon, keskiportin, rengasympyräkuvion hallinnan lisäksi sovellettiin mahdollistamaan tyristorin luotettava ja tehokas johtuvuus, jotta varmistaa korkealaatuisen suorituskyvyn.

2. Kapselointi

Molybdeenikiekon ja ulkopakkauksen tasaisuuden ja yhdensuuntaisuuden tiukan valvonnan avulla siru ja molybdeenikiekko integroidaan ulkoiseen pakkaukseen tiukasti ja kokonaan.Tämä optimoi ylijännitevirran ja suuren oikosulkuvirran vastuksen.Ja elektronien haihdutustekniikan mittausta käytettiin paksun alumiinikalvon luomiseen piikiekon pinnalle, ja molybdeenipinnalle päällystetty ruteniumkerros parantaa lämpöväsymiskestävyyttä suuresti, tyristorin käyttöikä pidennetään merkittävästi.

Tekniset ominaisuudet

1. Vaiheohjattu tyristori metalliseostyyppisellä sirulla, valmistaja RUNAU Electronics, sarja I_TAV300A - 6000A ja V_DRM/V_RRM800V - 4400V.
2. I_GT, V_GTja minä_Hovat testiarvot lämpötilassa 25 ℃, ellei toisin mainita, kaikki muut parametrit ovat testiarvoja kohdassa T_jm;
3. I²t = I²F SM×tw/2, tw = Siniaaltopuolen aallon virran kantaleveys.50 Hz:llä I²t = 0,005I²FSM(A²S);
4. 60 Hz:llä: I_FSM(8,3 ms) = I_FSM(10 ms) × 1,066,T_j=T_j;minä²t(8,3 ms) = I²t(10ms) × 0,943,T_j=T_jm

Parametri: